IPU64CN10N G

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IPU64CN10N G

MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IPU64CN10N G
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tube
Series OptiMOS™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 64mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 569 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 44W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage PG-TO251-3

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