IPU80R1K4CEAKMA1

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IPU80R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IPU80R1K4CEAKMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tube
Series CoolMOS™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.9A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.9V @ 240µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 570 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 63W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage PG-TO251-3

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