IPW50R190CEFKSA1

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IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3

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  • Fr. Teil #IPW50R190CEFKSA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tube,Tube
Series CoolMOS™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 13V
RdsOn(Max)@IdVgs 190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 510µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 47.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1137 pF @ 100 V
FETFeature Super Junction
PowerDissipation(Max) 127W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage PG-TO247-3-1

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