IRF3717TRPBF

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IRF3717TRPBF

PFET, 20A I(D), 20V, 0.0044OHM

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IRF3717TRPBF
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package 1
Series Bulk
ProductStatus HEXFET®
FETType Active
Technology N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) MOSFET (Metal Oxide)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20 V
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.4mOhm @ 20A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.45V @ 250µA
Vgs(Max) 33 nC @ 4.5 V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds ±20V
FETFeature 2890 pF @ 10 V
OperatingTemperature 2.5W (Ta)
MountingType -55°C ~ 150°C (TJ)
SupplierDevicePackage Surface Mount

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