IRF5852TRPBF

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IRF5852TRPBF

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP

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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Power - Max 960mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package 6-TSOP
Base Product Number IRF58
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V

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