IRF6201TRPBF

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IRF6201TRPBF

MOSFET N-CH 20V 27A 8SO

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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8555 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SO
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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