IRF6216PBF-IR

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IRF6216PBF-IR

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

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  • Fr. Teil #IRF6216PBF-IR
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.2A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 240mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 49 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1280 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-SO

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