IRF6621TRPBF

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IRF6621TRPBF

30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Ta), 55A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.25V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1460 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DIRECTFET™ SQ

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