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IRF6646TRPBF

IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Series	HEXFET®
Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta), 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2060 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MN
Package / Case	DirectFET™ Isometric MN

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