IRF6710S2TRPBF

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IRF6710S2TRPBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 37A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric S1
Package / Case DirectFET™ Isometric S1

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