IRF6714MTR1PBF

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IRF6714MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

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  • Fr. Teil #IRF6714MTR1PBF
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 29A (Ta), 166A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3890 pF @ 13 V
PowerDissipation(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DIRECTFET™ MX

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