IRF6729MTR1PBF

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IRF6729MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

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  • Fr. Teil #IRF6729MTR1PBF
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Ta), 190A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.35V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 63 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 6030 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DIRECTFET™ MX

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