IRF6898MTRPBF

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IRF6898MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECT

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 40A (Ta), 214A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 1.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 68 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±16V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5630 pF @ 13 V
FETFeature Schottky Diode (Body)
PowerDissipation(Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DirectFET™ Isometric MX

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