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IRF7309PBF

P-CHANNEL POWER MOSFET

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tube
Series	HEXFET®
ProductStatus	Obsolete
FETType	N and P-Channel
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4A (Ta), 3A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs	50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	25nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	520pF, 440pF @ 15V
Power-Max	1.4W (Ta)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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