IRF7341PBF

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IRF7341PBF

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO

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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Base Product Number IRF734
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V

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