IRF7450PBF

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IRF7450PBF

SMPS HEXFET POWER MOSFET

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  • Fr. Teil #IRF7450PBF
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 170mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 39 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 940 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-SO

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