IRF7456PBF

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IRF7456PBF

IRF7456 - SMPS HEXFET POWER MOSF

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 62 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3640 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-SO

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