IRF8707TRPBF

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IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Last Time Buy
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SO
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number IRF8707

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