IRF8714PBF

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IRF8714PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Tube
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 8.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1020 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-SO

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