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IRF8910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- HerstellerInfineon Technologies
- Fr. Teil #IRF8910TRPBF
- Paket SOIC-8
- Datenblatt IRF8910TRPBF DataSheet
- Auf Lager4225
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | HEXFET® |
ProductStatus | Active |
FETType | 2 N-Channel (Dual) |
FETFeature | Logic Level Gate |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A |
RdsOn(Max)@IdVgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 2.55V @ 250µA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 11nC @ 4.5V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 960pF @ 10V |
Power-Max | 2W |
OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
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