IRF9952QPBF

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IRF9952QPBF

P-CHANNEL POWER MOSFET

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Spezifikationen

Package Tube
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A, 2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 190pF @ 15V
Power-Max 2W
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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