IRFH4257DTRPBF

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IRFH4257DTRPBF

IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET

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Spezifikationen

Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A
RdsOn(Max)@IdVgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 35µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1321pF @ 13V
Power-Max 25W, 28W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerVDFN

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