IRFHE4250DTRPBF

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IRFHE4250DTRPBF

HEXFET POWER MOSFET

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Spezifikationen

Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 86A (Tc), 303A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Power-Max 156W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 32-PowerVFQFN

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