IRFHM8330TRPBF

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IRFHM8330TRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A/55A 8PQFN

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 16A (Ta), 55A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1450 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.7W (Ta), 33W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-PQFN (3.3x3.3)

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