IRFHM8337TRPBF-IR

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IRFHM8337TRPBF-IR

MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 755 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.8W (Ta), 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33

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