IRFHS8342TR2PBF

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IRFHS8342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

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  • Fr. Teil #IRFHS8342TR2PBF
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8.8A (Ta), 19A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.7 nC @ 10 V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 600 pF @ 25 V
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TSDSON-6

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