IRFR9120NPBF

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IRFR9120NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A TO252

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  • Fr. Teil #IRFR9120NPBF
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.6A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 350 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 40W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO252

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