IRFU5410PBF

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IRFU5410PBF

MOSFET P-CH 100V 13A IPAK

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  • Fr. Teil #IRFU5410PBF
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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Base Product Number IRFU5410
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 66W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package IPAK (TO-251AA)
Package TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Packaging Tube

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