IRL2910STRLPBF

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MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

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Spezifikationen

Series HEXFET®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK
Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number IRL2910

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