IRLL3303PBF

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IRLL3303PBF

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.6A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 31mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 50 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±16V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 840 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SOT-223

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