IRLR8729PBF

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IRLR8729PBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 58A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1350 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 55W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D-PAK (TO-252AA)

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