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IXBF55N300

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tube
Series	BIMOSFET™
ProductStatus	Active
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	3000 V
Current-Collector(Ic)(Max)	86 A
Current-CollectorPulsed(Icm)	600 A
Vce(on)(Max)@VgeIc	3.2V @ 15V, 55A
Power-Max	357 W
InputType	Standard
GateCharge	335 nC
ReverseRecoveryTime(trr)	1.9 µs
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole
Package/Case	i4-Pac™-5 (3 Leads)

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