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IXBT42N170A

IGBT 1700V 42A 357W TO268

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tube
Series	BIMOSFET™
ProductStatus	Active
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	1700 V
Current-Collector(Ic)(Max)	42 A
Current-CollectorPulsed(Icm)	265 A
Vce(on)(Max)@VgeIc	6V @ 15V, 21A
Power-Max	357 W
SwitchingEnergy	3.43mJ (on), 430µJ (off)
InputType	Standard
GateCharge	188 nC
Td(on/off)@25°C	19ns/200ns
TestCondition	850V, 21A, 1Ohm, 15V
ReverseRecoveryTime(trr)	330 ns
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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