IXFH18N60X

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IXFH18N60X

MOSFET N-CH 600V 18A TO247

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  • Fr. Teil #IXFH18N60X
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Ultra X
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 230mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 1.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 35 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1440 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 320W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247 (IXTH)

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