IXFH26N65X2

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IXFH26N65X2

IXFH26N65X2

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  • Fr. Teil #IXFH26N65X2
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Ultra X2
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 26A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 45 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2450 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 460W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247 (IXFH)

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