IXFK36N60P

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IXFK36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA

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  • Fr. Teil #IXFK36N60P
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Polar
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 36A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 190mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 102 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5800 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 650W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-264AA (IXFK)

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