IXFN40N110Q3

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IXFN40N110Q3

MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

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  • Fr. Teil #IXFN40N110Q3
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Q3 Class
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 260mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 6.5V @ 8mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 300 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 14000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 960W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227B

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