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IXFN60N80P

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Series	HiPerFET™, Polar
Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	18000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1040W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Chassis Mount
Supplier Device Package	SOT-227B
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number	IXFN60

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