IXFT26N100XHV

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IXFT26N100XHV

MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV

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  • Fr. Teil #IXFT26N100XHV
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Ultra X
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 26A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 6V @ 4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 113 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3290 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 860mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-268HV (IXFT)

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