IXFX360N10T

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IXFX360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3

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  • Fr. Teil #IXFX360N10T
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Trench
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 360A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 3mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 525 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 33000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1250W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage PLUS247™-3

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