IXTA12N65X2

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IXTA12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

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  • Fr. Teil #IXTA12N65X2
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Ultra X2
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 180W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263AA

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