IXTA1R6N100D2

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IXTA1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IXTA1R6N100D2
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Depletion
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 10Ohm @ 800mA, 0V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 645 pF @ 25 V
FETFeature Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 100W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263AA

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