IXTA50N20P

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IXTA50N20P

MOSFET N-CH 200V 50A TO263

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  • Fr. Teil #IXTA50N20P
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Polar
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 60mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 70 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2720 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 360W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263AA

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