IXTH16N10D2

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IXTH16N10D2

MOSFET N-CH 100V 16A TO247

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  • Fr. Teil #IXTH16N10D2
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Depletion
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 16A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 0V
RdsOn(Max)@IdVgs 64mOhm @ 8A, 0V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 225 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5700 pF @ 25 V
FETFeature Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 830W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247 (IXTH)

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