IXTH1N170DHV

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IXTH1N170DHV

MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV

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  • Fr. Teil #IXTH1N170DHV
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Depletion
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1A (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 0V
RdsOn(Max)@IdVgs 16Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 47 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3090 pF @ 25 V
FETFeature Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 290W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247HV

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