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IXTH2N170D2

Name: IXTH2N170D2
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOSFET N-CH 1700V 2A TO247

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Supplier	IXYS
Package	Tube
Series	Depletion
ProductStatus	Active
FETType	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	2A (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	0V
RdsOn(Max)@IdVgs	6.5Ohm @ 1A, 0V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	110 nC @ 5 V
Vgs(Max)	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	3650 pF @ 10 V
FETFeature	Depletion Mode
PowerDissipation(Max)	568W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole
SupplierDevicePackage	TO-247 (IXTH)

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