IXTN120P20T

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IXTN120P20T

MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B

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  • Fr. Teil #IXTN120P20T
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series TrenchP™
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 106A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 740 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 73000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 830W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227B

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