IXTN32P60P

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IXTN32P60P

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

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  • Fr. Teil #IXTN32P60P
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series PolarP™
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 32A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 196 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 11100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 890W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227B

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