IXTP05N100P

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IXTP05N100P

MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB

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  • Fr. Teil #IXTP05N100P
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Polar
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 500mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 30Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 196 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 50W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220-3

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