IXTP08N50D2

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IXTP08N50D2

MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

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  • Fr. Teil #IXTP08N50D2
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Depletion
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 800mA (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12.7 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 312 pF @ 25 V
FETFeature Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 60W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220-3

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